Intel и Micron анонсировали новый тип технологий памяти, под названием 3D XPoint, который по их заявлению, сможет обеспечить скорость до 1000 раз быстрее, чем нынешняя флеш-память NAND.

Первые прототипы устройств с памятью, построенной по технологии 3D XPoint появятся уже в этом году, а это означает, что мы сможем увидеть первые продукты на рынке, использующие 3D XPoint уже в следующем году.

Согласно Intel и Micron, это первый полностью новый тип память, который будет выпущен с тех пор, как была представлена NAND память в 1989 году.

В то время, как 3D XPoint намного быстрее флеш-памяти NAND, он не так быстра, как современные микросхемы памяти DRAM. Но новая память не использует транзисторы, в отличие от DRAM, она имеет объемную архитектуру, как ясно из названия. Это позволяет получить больше памяти на той же площади: 3D XPoint примерно в 10 раз плотнее DRAM. А также эта память энергонезависима, поэтому в ней можно хранить информацию, даже когда устройство выключено.

Intel заявляет, что 3D Xpoint предлагает более дешевую и быструю альтернативу существующим SSD-накопителям. Новые накопители смогут предложить не только большую скорость, но также и больший объем для хранения данных, при меньшей стоимости.

Intel и Micron также заявляют, что 3D Xpoint также имеет еще одно важное достоинство: в то время, как NAND-память имеет ограниченное число циклов перезаписи, то в 3D Xpoint нет этой проблемы. Это означает, что в теории, выносливость накопителей с новой памятью увеличиться до 1000 раз, как и скорость. Но придется подождать до следующего года, или конца этого, чтобы узнать о реальной производительности и прочих показателях (включая цену) новинки. опубликовано econet.ru